ZDNet China 3月23日报道：德州仪器正迈向新一代高性能、低耗能的芯片制造工艺。

　　周一，德州仪器宣称基于65毫微米制造工艺的静态随机存取存储器(SRAM)已经诞生。公司计划在2005年制造采用了这一工艺的芯片。

　　德州仪器、英特尔和其他芯片制造商目前生产的芯片使用90毫微米芯片制造工艺。根据摩尔定律，芯片制造商一般每两年就会在旗舰产品上应用新的制造工艺。许多制造商在2003年转而使用90毫微米的芯片制造工艺，而在今年开始大量供货。例如，德州仪器利用90毫微米的工艺将自己公司的一些数字信号处理器芯片的性能提高到1GHz。

　　英特尔也生产65毫微米工艺的静态随机存取存储器，计划在2005年推出使用这一工艺的芯片。

　　毫微米数字表明了采用该工艺生产的芯片外形的平均尺寸。当芯片制造商通过采用新制造工艺缩小芯片尺寸的时候，他们普遍地提高了芯片的性能、减少了耗能。

　　随着在芯片内增加使用电池供能的晶体管，限制芯片内的耗能量变得越发困难。而耗能问题也是运行大量服务器的企业用户要考虑的一个关键问题。

　　德州仪器期望其65毫微米制造工艺能将芯片的尺寸缩小一半，比采用90毫微米制造工艺芯片的晶体管性能提升40%。德州仪器为新芯片开发的节能工艺可以减少空闲晶体管的能源泄漏。另外一种称为SmartReflex的工艺，可根据芯片需要调节电压，帮助控制诸如德州仪器的OMAP处理器等某些无线芯片的耗能。

　　德州仪器的首席技术执行官HansStork说，在65毫微米工艺下，“其晶体管的密度是90毫微米生产工艺下的两倍，德州仪器将在明年年初率先让用户体验到卓越的65毫微米。除了性能上的巨大提升之外，德州仪器还将提供65毫微米下的高度集成产品的设计，从而，让我们在领导业界处理产品设计中的耗能问题上迈出了意义非凡的一步。”

　　此外，德州仪器计划提供制造不同产品的各类“处方”。低耗能方案将被用于生产诸如手持设备、数码相机、音频播放器等便携式产品的芯片。中级应用主要是在数字信号处理器和通信芯片上。高性能的制造工艺则可以支持诸如Sun的UltraSparc处理器等芯片。德州仪器在为Sun制造UltraSparc芯片。

　　德州仪器宣称希望能在2005年第一季度对使用了65毫微米工艺的首款无线芯片进行测试，并于当年稍后时候，在大量产品生产中普及65毫微米的制造工艺。(编辑：熙平/翻译：菁瑾）